直流プラズマ化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの成長とその電界電子放出特性

古賀瑞帆; 上田啓介; 林康明; 西野茂弘

文献

J-GLOBAL ID：200902239632849677 整理番号：03A0453779

直流プラズマ化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの成長とその電界電子放出特性

Growth and Field-Emission Properties of Well-Aligned Carbon Nanotubes by Direct Current Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0453779&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0453779&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 46 号： 5 ページ： 412-415 発行年： 2003年05月20日
JST資料番号： G0194A ISSN： 0559-8516 CODEN： SHINA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

カーボンナノチューブ(CNT)をCH₄...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0453779&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

その他の無機化合物の薄膜 , 熱電子放出,電界放出

引用文献 (6件)：

IIJIMA, S. Nature. 1991, 354, 56
IIJIMA, S. Nature. 1993, 363, 603
DE HEER, W. A. Z. Phys. 1997, 40, 418
HONG, W. J. Appl. Phys. 2000, 39, 925
HAYASHI, Y. J. Vac. Sci. Tech, A. 2001, 19, 4, 1796

, , , ,

前のページに戻る