サファイア上のエピタキシャルn-GaNのHooge雑音パラメータ

TANUMA Nobuhisa; TACANO Munecazu; PAVELKA Jan; PAVELKA Jan; HASHIGUCHI Sumihisa; SIKULA Josef; MATSUI Toshiaki

文献

J-GLOBAL ID：200902240137265489 整理番号：05A0592701

サファイア上のエピタキシャルn-GaNのHooge雑音パラメータ

Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN on sapphire

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TANUMA Nobuhisa

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Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

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巻： 49 号： 6 ページ： 865-870 発行年： 2005年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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