文献
J-GLOBAL ID：200902240246231063
整理番号：05A0191814
FET形強誘電体メモリにおける最近の進歩
Recent Progress in FET-type Ferroelectric Memories
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著者 (1件)：
資料名：
ページ：
195-205
発行年：
2004年
JST資料番号：
K20050011
ISBN：
1-56677-417-9
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
文献レビュー
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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著者等の開発結果を中心に標記FeRAMにおける最近の進展をレ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
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半導体集積回路
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