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J-GLOBAL ID：200902240445160213   整理番号：04A0710033

水素化非晶質炭素薄膜の電気的,構造的特性へのシリコンドーピングと熱処理の効果

The effect of silicon doping and thermal annealing on the electrical and structural properties of hydrogenated amorphous carbon thin films

著者 (4件)： OKPALUGO T I T (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  MAGUIRE P D (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  OGWU A A (Univ. Ulster, Belfast, GBR) ,  MCLAUGHLIN J A D (Univ. Ulster, Belfast, GBR)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 13  号： 4/8  ページ： 1549-1552  発行年： 2004年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siをドープした水素化非晶質DLC薄膜(a-C:H:Si)の...

シソーラス用語： *DLC膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素化 ,  非晶質 ,  炭素薄膜 ,  構造的特性 ,  シリコン ,  ドーピング ,  熱処理