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J-GLOBAL ID：200902240651089657   整理番号：09A0530986

マイクロプローブを有するTEMを用いたサブミクロンサイズの材料の精密な抵抗率測定

Precise Resistivity Measurement of Submicrometer-Sized Materials by Using TEM with Microprobes

著者 (5件)： KAWAMOTO N. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.) ,  MURAKAMI Y. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.) ,  SHINDO D. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.) ,  AZEHARA H. (Nanotechnology Res. Center, Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.) ,  TOKUMOTO H. (Nanotechnology Res. Center, Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 50  号： 6  ページ： 1572-1575 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロンサイズの材料の精密な電気抵抗率測定を,透過型電子顕微鏡中の二つのマイクロプローブの圧電駆動機構を用いて示した。試験片に接続した二つの追加の銅線を導入することで,四端子法において用いられるものと同等の電気回路を,二つのマイクロプローブを有する試験片ホルダ中に実現した。提案した方法によって,針状のPt-Ir試験片の抵抗率を測定し,その抵抗は僅か0.1Ωのオーダーであり,十分な精度<2×10^-4Ωを有している。この手法は,多くのサブミクロンサイズおよび/あるいはナノメータサイズの材料についての顕微鏡調査において採用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  透過型電子顕微鏡 ,  四端子回路 ,  *計測 ,  長さ ,  ナノサイズ

分類 (1件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

引用文献 (17件)：

• 1) F. Patolsky, B. P. Timko, G. F. Zheng and C. M. Lieber: MRS Bull. 32 (2007) 142–149.
• 2) J. J. Kim, D. Shindo, Y. Murakami, W. Xia, L. J. Chou and Y. L. Chueh: Nano Lett. 7 (2007) 2243–2247.
• 3) M. T. Chang, L. J. Chou, C. H. Hsieh, Y. L. Chueh, Z. L Wang, Y. Murakami and D. Shindo: Adv. Mater. 19 (2007) 2290–2294.
• 4) Z. L. Wang: MRS Bull. 32 (2007) 109–116.
• 5) A. F. Mayadas and M. Shatzkes: Phys. Rev. B 1 (1970) 1382–1389.

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロプローブ ,  TEM ,  サブミクロンサイズ ,  抵抗率