様々な方法で成長した0.7~2eV領域に吸収端をもつ単結晶InN膜と実際のバンドギャップエネルギーの証拠

BHUIYAN A G; SUGITA K; KASASHIMA K; HASHIMOTO A; YAMAMOTO A; DAVYDOV V YU

文献

J-GLOBAL ID：200902240704562880 整理番号：03A0869040

様々な方法で成長した0.7~2eV領域に吸収端をもつ単結晶InN膜と実際のバンドギャップエネルギーの証拠

Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0869040&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0869040&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 83 号： 23 ページ： 4788-4790 発行年： 2003年12月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InNのバンドギャップ値に見られる大きい分散の原因を,異なる...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0869040&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体結晶の電子構造

, , , , ,

前のページに戻る