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J-GLOBAL ID：200902240863873765   整理番号：04A0150966

SiO₂上のCuの拡散障壁としてのTiN,TaN及びW_xN:バイアス温度ストレス後の容量電圧,漏れ電流,及び三角電圧掃引試験

TiN, TaN and W_xN as diffusion barriers for Cu on SiO₂: capacitance-voltage, leakage current, and triangular-voltage-sweep tests after bias temperature stress

著者 (2件)： KIZIL H (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  STEINBRUECHEL C (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 449  号： 1/2  ページ： 158-165  発行年： 2004年02月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂上のCuの拡散障壁としての5,...

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 促進試験 ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (10件)： SiO2 ,  Cu ,  拡散障壁 ,  TiN ,  バイアス ,  温度ストレス ,  漏れ電流 ,  三角 ,  掃引 ,  試験