NISHII J について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
HOSSAIN F M について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
SAIKUSA K について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
OHMAKI Y について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
OHKUBO I について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
KOINUMA H について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
KAWASAKI M について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について
酸化亜鉛 について
禁止帯 について
トランジスタ について
ZnO について
チャネル について
高移動度 について
薄膜トランジスタ について