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J-GLOBAL ID：200902241131125665   整理番号：09A1243734

金属-絶縁体-半導体ゲートスタックの界面ゲート絶縁体形成用としてのゲルマニウムのラジカル酸化

Radical oxidation of germanium for interface gate dielectric GeO₂ formation in metal-insulator-semiconductor gate stack

著者 (9件)： KOBAYASHI Masaharu (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  THAREJA Gaurav (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  ISHIBASHI Masato (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  SUN Yun (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford Linear Acceleration Center, Menlo Park, California 94305, USA) ,  GRIFFIN Peter (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  MCVITTIE Jim (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  PIANETTA Piero (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford Linear Acceleration Center, Menlo Park, California 94305, USA) ,  SARASWAT Krishna (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  NISHI Yoshio (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 10  ページ： 104117  発行年： 2009年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スロット-平面アンテナ(SPA)高密度ラジカル酸化によりGeO₂を成長させて,ラジカル酸化GeO₂の酸化動力学を調べた。SPAラジカル酸化では,酸化の活性化エネルギーが低く反応性が高い酸化ラジカルが低いことに起因し,成長速度に基板依存性が無いことを立証した。これは多重ゲート電界効果トランジスタのような共形ゲート絶縁体を形成する三次元構造のデバイスにとっては著しく有利である。GeO₂界面層がある酸化アルミニウム(Al₂O₃)金属-酸化物-半導体ゲートスタックの電気特性を調べて,界面状態密度が1.4×10¹¹cm^-2eV^-1と非常に低いことが分かった。シンクロトロン放射光電子放出分光によりGeに対するGeO₂の伝導及び価電子帯オフセットを評価した結果1.2±0.3及び3.6±0.1eVであり,ゲートの漏れ抑制に対して十分高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  ラジカル ,  酸素 ,  酸化 ,  *酸化ゲルマニウム ,  膜厚 ,  反応速度 ,  界面 ,  状態密度 ,  バンドオフセット ,  漏れ電流 ,  *MOS構造 ,  容量電圧特性 ,  光電子スペクトル
準シソーラス用語： 酸素ラジカル

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  ゲートスタック ,  界面 ,  ゲート絶縁体 ,  ゲルマニウム ,  ラジカル ,  酸化