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J-GLOBAL ID：200902241609952783   整理番号：08A0979143

200kVA級高出力SiCGTインバータのターンオンスナッバ用の強く電子照射した高抵抗4H-SiC PINダイオード

Heavily Electron-irradiated High Resistive 4H-SiC pin diode for Turn-on Snubber of 200kVA Class High Power SiCGT Inverter

著者 (9件)： ASANO Katsunori (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  SUGAWARA Yoshitaka (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  MIYANAGI Yoichi (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  NAKAYAMA Koji (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  OGATA Shuji (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  OKADA Shinichi (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  IZUMI Toru (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  ISHII Ryusuke (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 256-259  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCは優れた電気的,物理的性質を持ち,Siに替わる材料として期待されている。近年,その品質も向上しており,8mm×8mmの大面積の4.5kVスイッチング素子も可能になった。本稿では,従来の抵抗とダイオードによるターンオンスナッバ回路の替わりに,強く電子照射した高抵抗SiC PINダイオードをSiCGT(SiC Commutated Gate turn-off Thyristor)モジュール中に使用した。このモジュールでは抵抗用のヒートシンクを使用せず,非常に小型である。このインバータ回路は100kVA,150時間の安定動作をした。さらに,この高抵抗SiC PINダイオードは小出力200kVA級電力インバータに使用可能である。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  スイッチング素子 ,  *PINダイオード ,  スナバ回路 ,  電子照射 ,  *サイリスタ ,  小型化 ,  *インバータ
準シソーラス用語： 4H-SiC

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  インバータ ,  電子照射 ,  4H-SiC ,  PINダイオード