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J-GLOBAL ID：200902241628277060   整理番号：04A0094355

新しきい値スイッチング自己整流カルコゲン化物デバイスを用いたアクセストランジスタフリー(0T/1R)不揮発性レジスタンスランダムアクセスメモリ(RRAM)

An Access-Transistor-Free (0T/1R) Non-Volatile Resistance Random Access Memory (RRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device

著者 (8件)： CHEN Y-C (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  CHEN C F (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  CHEN C T (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  YU J Y (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  WU S (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  LUNG S L (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  LIU R (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN) ,  LU C-Y (Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003  ページ： 905-908  発行年： 2003年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲン化物のしきい値スイッチングとメモリ特性を用いた不揮...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： しきい値 ,  スイッチング ,  自己 ,  整流 ,  カルコゲン化物 ,  不揮発性 ,  レジスタンス ,  ランダムアクセスメモリ ,  RRAM