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J-GLOBAL ID：200902241767666305   整理番号：09A0404878

8MB/s書き込みレートを有する56nmにおける16Gb 3b/セルNANDフラッシュメモリ

A 16Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate

著者 (40件)： LI Yan (SanDisk, CA) ,  LEE Seungpil (SanDisk, CA) ,  FONG Yupin (SanDisk, CA) ,  PAN Feng (SanDisk, CA) ,  KUO Tien-Chien (SanDisk, CA) ,  PARK Jong (SanDisk, CA) ,  SAMADDAR Tapan (SanDisk, CA) ,  NGUYEN Hao (SanDisk, CA) ,  MUI Man (SanDisk, CA) ,  HTOO Khin (SanDisk, CA) ,  KAMEI Teruhiko (SanDisk, CA) ,  HIGASHITANI Masaaki (SanDisk, CA) ,  YERO Emilio (SanDisk, CA) ,  KWON Gyuwan (SanDisk, CA) ,  KLIZA Phil (SanDisk, CA) ,  WAN Jun (SanDisk, CA) ,  KANEKO Tetsuya (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  MAEJIMA Hiroshi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  SHIGA Hitoshi (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  HAMADA Makoto (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  FUJITA Norihiro (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  KANEBAKO Kazunori (Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN) ,  TAM Eugene (SanDisk, CA) ,  KOH Anne (SanDisk, CA) ,  LU Iris (SanDisk, CA) ,  KUO Calvin (SanDisk, CA) ,  PHAM Trung (SanDisk, CA) ,  HUYNH Jonathan (SanDisk, CA) ,  NGUYEN Qui (SanDisk, CA) ,  CHIBVONGODZE Hardwell (SanDisk, CA) ,  WATANABE Mitsuyuki (SanDisk, CA) ,  OOWADA Ken (SanDisk, CA) ,  SHAH Grishma (SanDisk, CA) ,  WOO Byungki (SanDisk, CA) ,  GAO Ray (SanDisk, CA) ,  CHAN James (SanDisk, CA) ,  LAN James (SanDisk, CA) ,  HONG Patrick (SanDisk, CA) ,  PENG Liping (SanDisk, CA) ,  DAS Debi (SanDisk, CA)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 506-507  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MP3プレイヤ,携帯電話,ディジタルカメラなどに使用される高密度で,安いフラッシュメモリについて検討した。8MB/s,セル当たり3ビット(D3)のNANDフラッシメモリについて調べた。セル当たり2ビット(D2)のNANDと同じ,ECCバイトの数を使用する。16Gb D3のチップは,8MB/sの書き込み速度と低いコストで,多くのD2のアプリケーションを代替することができる。この書き込み速度は,ディジタルカメラなどの高性能アプリケーションに適している。

シソーラス用語： 記憶装置 ,  論理演算 ,  NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  誤り訂正符号 ,  記憶素子 ,  入出力
準シソーラス用語： *メモリ ,  *NAND ,  ECC ,  *メモリセル ,  *メモリアクセス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 書き込み ,  レート ,  セル ,  NANDフラッシュメモリ