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J-GLOBAL ID：200902242192413147   整理番号：05A0728332

HMS整流器:無障壁低下,低漏れ電流および高絶縁破壊電圧を持つ新規ハイブリッドMOS・Schottkyダイオード概念

HMS Rectifier: A Novel Hybrid MOS Schottky Diode Concept with No Barrier Lowering, Low Leakage Current and High Breakdown Voltage

著者 (4件)： KHEMKA V. (Freescale Semiconductor, AZ) ,  PARTHASARATHY V. (Freescale Semiconductor, AZ) ,  ZHU R. (Freescale Semiconductor, AZ) ,  BOSE A. (Freescale Semiconductor, AZ)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 17th  ページ： 51-54  発行年： 2005年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のSchottkyダイオード,特にSi上のSchottk...

シソーラス用語： *整流器 ,...
準シソーラス用語： ディープサブミクロン ,...

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分類 (2件)： 整流器  (NB08040M) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： HMS ,  整流器 ,  障壁 ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  MOS ,  Schottkyダイオード ,  概念