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J-GLOBAL ID：200902242337392682   整理番号：04A0342748

As₂分子線による1.3μm帯自己組織化InAs量子ドットの作製

著者 (5件)： 菅谷武芳 (産業技術総合研) ,  山内掌吾 (産業技術総合研) ,  山根孝史 (産業技術総合研) ,  小森和弘 (産業技術総合研) ,  米井健治 (芝浦工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 357  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線 ,  自己組織化 ,  InAs量子ドット ,  作製