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J-GLOBAL ID：200902242449026328   整理番号：09A0806380

酸化還元に基づく抵抗スイッチングメモリ ナノイオン機構,展望,および挑戦

Redox-Based Resistive Switching Memories - Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges

著者 (9件)： WASER Rainer (Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  DITTMANN Regina (Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  DITTMANN Regina (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  STAIKOV Georgi (Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  STAIKOV Georgi (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  SZOT Kristof (Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU) ,  SZOT Kristof (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 25/26  ページ： 2632-2663  発行年： 2009年07月13日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性ランダムアクセスメモリとして抵抗スイッチングに基づくメモリ素子(RRAM),特に酸化還元反応およびナノイオン輸送に基づくRRAMについて総説した。A.序論 B.RRAMタイプの分類および物理的記憶機構 B1.RRAMの一般的要件(書き込み;読み出し;抵抗比;耐久性;持続性) B2.抵抗スイッチングの機構および欠陥の役割 C.電気化学的金属化システム C1.基本動作原理 C2.炭素輸送および電極反応 C3.種々の材料系 D.原子価変化系 D1.一般的特徴 D2.モデル系としてのチタン酸ストロンチウム D3.遷移金属酸化物における広がった欠陥 D4.認識可能な形成およびスイッチング機構 D5.他のシステムおよびスイッチング現象の局所化 D6.スイッチング速度および電圧-時間ジレンマ E.熱化学系 E1.一般的特徴 E2.スイッチング機構の現象論的記述 F.スケ-リングの可能性および代替構造

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *抵抗 ,  *スイッチング ,  イオン輸送 ,  酸化還元反応 ,  記憶装置 ,  耐久性 ,  欠陥 ,  メタライゼーション ,  移動度 ,  炭素 ,  電気化学反応 ,  原子価 ,  チタン酸ストロンチウム ,  遷移金属化合物 ,  酸化物 ,  過渡応答 ,  スケール則 ,  縮小
準シソーラス用語： *RRAM ,  オンオフ比 ,  スケーリング則 ,  ダウンスケーリング ,  メモリ ,  応答速度 ,  金属化 ,  酸化還元 ,  持続性 ,  抵抗スイッチング ,  電気化学的性質 ,  電極反応

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化還元 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  イオン ,  展望