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J-GLOBAL ID：200902242561310900   整理番号：05A0374654

触媒的化学蒸着により作製したSi3N4不動態化膜をもつ空気に安定なn型カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ

Air-stable n-type carbon nanotube field-effect transistors with Si3N4 passivation films fabricated by catalytic chemical vapor deposition
著者 (9件)：
KAMINISHI Daisuke

KAMINISHI Daisuke について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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OZAKI Hirokazu

OZAKI Hirokazu について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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OHNO Yasuhide

OHNO Yasuhide について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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MAEHASHI Kenzo

MAEHASHI Kenzo について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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INOUE Koichi

INOUE Koichi について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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MATSUMOTO Kazuhiko

MATSUMOTO Kazuhiko について

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

Osaka Univ., Osaka, JPN について

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SERI Yasuhiro

SERI Yasuhiro について

(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)

Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN について

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MASUDA Atsushi

MASUDA Atsushi について

(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)

Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN について

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MATSUMURA Hideki

MATSUMURA Hideki について

(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)

Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 86  号： 11  ページ： 113115.1-113115.3  発行年： 2005年03月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記トランジスタ(CNTFET)を作製し,電気特性を調べた。...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*FET【トランジスタ】

FET【トランジスタ】 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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カーボンナノチューブトランジスタ

カーボンナノチューブトランジスタ について


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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  原子・分子のクラスタ 
(BH09030O)

原子・分子のクラスタ について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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触媒

触媒 について

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化学蒸着

化学蒸着 について

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作製

作製 について

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Si3N4

Si3N4 について

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不動態化膜

不動態化膜 について

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カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ について


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