文献

J-GLOBAL ID：200902242795186722   整理番号：05A0793021

低速高電荷Xeイオンを照射された水素終端のSi(111)1×1表面からの1を超えるプロトンスパッタリング

Toward over unity proton sputtering yields from a hydrogen-terminated Si(111) 1×1 surface irradiated by slow highly charged Xe ions

著者 (8件)： TAKAHASHI Satoshi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  TONA Masahide (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NAGATA Kazuo (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Nobuyuki (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  YOSHIYASU Nobuo (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  YAMADA Chikashi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  OHTANI Shunsuke (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Makoto (Kobe Univ., Hyogo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 87  号： 6  ページ： 063111.1-063111.3  発行年： 2005年08月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電荷イオンが固体表面と衝突する時,電荷の中和エネルギーによ...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0793021&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低速 ,  電荷 ,  Xe ,  イオン ,  水素終端 ,  Si ,  プロトン ,  スパッタリング