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J-GLOBAL ID：200902242848467508   整理番号：04A0487716

Cu/低k相互接続のエレクトロマイグレーション信頼性の改善に対する被覆層の影響

EFFECTS of OVERLAYERS on ELECTROMIGRATION RELIABILITY IMPROVEMENT for Cu/LOW K INTERCONNECTS

著者 (9件)： HU C-K (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  CANAPERI D (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  CHEN S T (IBM Microelectronics Div., NY) ,  GIGNAC L M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  HERBST B (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  KALDOR S (IBM Microelectronics Div., NY) ,  KRISHNAN M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  RESTAINO D (IBM Microelectronics Div., NY) ,  SIMON A (IBM Microelectronics Div., NY)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 42nd  ページ： 222-228  発行年： 2004年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu配線上に各種被覆層を被せたCuダマシン配線のエレクトロマ...

シソーラス用語： *エレクトロマイグレーション ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  被覆層