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J-GLOBAL ID：200902242849396264   整理番号：08A0893353

Schottkyラップゲート制御型GaAsナノワイヤFET及びそのネットワーク中の確率共鳴

Stochastic Resonance in Schottky Wrap Gate-controlled GaAs Nanowire Field-Effect Transistors and Their Networks

著者 (3件)： KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  ASAI Tetsuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 8  ページ： 083001.1-083001.3  発行年： 2008年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottkyラップゲートで制御したGaAs系ナノワイヤ電界効果トランジスタ(FET)及びそれらのナノワイヤにおける確率共鳴を調べた。亜閾値領域で動作するFETのゲートに弱いパルス列を与えると,入力パルスとソース-ドレイン電流の相関が入力雑音追加により増大した。相関増大はFETの総和ネットワーク中で観測した。本系で測定した相関係数は広範囲の雑音に対して線形系の相関係数よりも大きかった。ゲート誘起ポテンシャル障壁全体の電子運動に基づく解析モデルは実験挙動を定性的に説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴 ,  *ナノワイヤ ,  *接合形FET ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ゲート【半導体】 ,  相関係数 ,  ポテンシャル障壁 ,  解析モデル ,  ネットワーク ,  雑音
準シソーラス用語： Schottky障壁形FET ,  *確率共鳴

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• GAMMAITONI, L. Rev. Mod. Phys. 1998, 70, 223
• BENZI, R. J. Phys. A. 1981, 14, L453
• MOSS, F. Clin. Neurophysiol. 2004, 115, 267
• FUNKE, K. Eur. J. Neurosci. 2007, 26, 1322
• DOUGLASS, J. K. Nature. 1993, 365, 337

タイトルに関連する用語 (5件)： ラップゲート ,  制御型 ,  GaAs ,  ナノワイヤFET ,  確率共鳴