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J-GLOBAL ID：200902242970320160   整理番号：06A0510034

O-終端の多量Pドープホモエピタキシャルダイヤモンドの電界放出過程

Field emission process of O-terminated heavily P-doped homoepitaxial diamond

著者 (7件)： YAMADA Takatoshi (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568 ...) ,  KATO Hiromitsu (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568 ...) ,  TAKEUCHI Daisuke (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568 ...) ,  SHIKATA Shin-ichi (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568 ...) ,  YAMAGUCHI Hisato (Dep. of Physics, International Christian Univ. (ICU), 3-10-2 Osawa, Mitaka, Tokyo 181-8585, JPN) ,  OKANO Ken (Dep. of Physics, International Christian Univ. (ICU), 3-10-2 Osawa, Mitaka, Tokyo 181-8585, JPN) ,  NEBEL Christoph E. (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568 ...)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 15  号： 4-8  ページ： 863-865  発行年： 2006年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多量のりん(P)をドープしたホモエピタキシャルダイヤモンドC...

シソーラス用語： *DLC膜 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯 ,...

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分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 終端 ,  電界放出 ,  過程