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J-GLOBAL ID：200902243075291673   整理番号：08A0548929

バルクのGaN基板上に作製されたGaNを基本とする縦型トレンチゲートを備えた金属酸化物半導体電界効果トランジスタ

Vertical GaN-Based Trench Gate Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors on GaN Bulk Substrates

著者 (5件)： OTAKE Hirotaka (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  CHIKAMATSU Kentaro (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  YAMAGUCHI Atsushi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJISHIMA Tatsuya (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  OHTA Hiroaki (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 1  ページ： 011105.1-011105.3  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)を基本とする完全縦型トレンチゲートを備えた金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を初めて作製した。これらのMOSFETはエンハンスドモードで動作し,そのときのしきい電圧は3.7V,そしてオン抵抗は9.3mΩ-cm²であった。チャンネル以外の全ての抵抗を考慮した場合のチャンネル移動度は,131cm²/(V・s)であることが分かった。このような,「縦型」,「トレンチゲート」および「MOSFET」というキーワードを満たす構造を用いて,GaNを基本とするパワースイッチング素子を実際に作製できることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  基板 ,  ゲート【半導体】 ,  トレンチカット【加工】 ,  *MOS構造 ,  *MOSFET ,  電圧 ,  閾値 ,  キャリア移動度 ,  スイッチング素子 ,  縦型
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  しきい電圧 ,  チャネル移動度

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• BALIGA, B. J. IEEE Electron Device Lett. 1989, 10, 455
• OKUMURA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 7565
• FUJIHIRA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 6254
• DEBOY, G. IEDM Tech. Dig., 1998. 1998, 683
• LORENZ, L. Proc. Power Conversion, 1998. 1998, 151

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  GaN ,  作製 ,  縦型 ,  トレンチゲート ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ