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J-GLOBAL ID：200902243239594117   整理番号：08A0914572

ZrO₂/GeO₂ゲートスタックの非常に高κのジルコニア相でにおけるゲルマニウム誘起安定化

Germanium-induced stabilization of a very high-k zirconia phase in ZrO₂/GeO₂ gate stacks

著者 (10件)： TSIPAS P. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  VOLKOS S. N. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  SOTIROPOULOS A. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  GALATA S. F. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  MAVROU G. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  TSOUTSOU D. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  PANAYIOTATOS Y. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  DIMOULAS A. (MBE Lab., National Center for Scientific Res. Demokritos, 153 10 Athens, GRC) ,  MARCHIORI C. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Saeumerstrasse 4, 8803-Rueschlikon, CHE) ,  FOMPEYRINE J. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Saeumerstrasse 4, 8803-Rueschlikon, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 8  ページ： 082904  発行年： 2008年08月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge上に225°Cで原子酸素ビーム堆積により作製したZrO₂/GeO₂スタックの電気的データから,スタック酸化物換算厚みのZrO₂厚み依存性は比較的弱いことが明らかになった。この傾向は,ジルコニアの誘電率(κ)値が非常に高いことを示している。その評価値は44であった。これはジルコニアが正方晶相に結晶化する表示であり,X線回折データからも支持された。X線光電子分光解析は,GeO₂の有限分解により成長したZrO₂中にGeが侵入して高κ正方晶相を安定化させる仮定と一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁材料 ,  *酸化ジルコニウム ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  ゲルマニウム ,  不動態化 ,  被覆層 ,  酸化ゲルマニウム ,  膜厚 ,  誘電率 ,  正方晶系 ,  熱分解 ,  熱拡散 ,  安定化 ,  MOS構造 ,  *絶縁体 ,  改変
準シソーラス用語： パッシベーション層 ,  酸化物換算厚み

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZrO2 ,  GeO2 ,  ゲートスタック ,  高 ,  ジルコニア ,  ゲルマニウム ,  誘起 ,  安定化