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J-GLOBAL ID：200902243306680074   整理番号：08A0476764

ゲルマニウムオン絶縁体におけるバルクキャリア移動度を抽出する新しい方法

A New Method to Extract Bulk Carrier Mobility in Germanium-on-Insulator

著者 (2件)： JIN Hai-Yan (Univ. California, CA, USA) ,  CHEUNG Nathan W. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 5  ページ： 1250-1254  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウムオン絶縁体(GeOI)材料の迅速な電気キャラクタリゼーションはCMOSプロセス互換性とともに基板の製作および検証のために最も重要である。2点プローブ法や4点プローブ法などの報告もあるが,抽出した電気パラメータは半導体と埋め込み誘電体間の界面特性である。本論文では,GeOIとSOI基板のバルクキャリア移動度を抽出する新しい方法を提案した。提案した方法は空乏モードの4点プローブ擬似MOSFET測定によるI-Vデータに基づいている。この方法を用いて界面のキャリア移動度およびバルクキャリア移動度を得ることができる。層転写により作製したGeOIおよびSOI基板両方を用いて提案した方法を検証した。

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  SOI構造 ,  *キャリア移動度 ,  *抽出 ,  キャラクタリゼーション ,  空乏層 ,  MOSFET ,  電流電圧特性 ,  界面
準シソーラス用語： GeOI ,  *ゲルマニウムオン絶縁体 ,  擬似MOSFET ,  空乏モード

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁体 ,  バルク ,  キャリア移動度