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J-GLOBAL ID：200902243588940790   整理番号：09A0224435

マルチフェロイックHo₃Fe₅O₁₂薄膜のRaman散乱研究

Raman scattering study of multiferroic Ho₃Fe₅O₁₂ thin films

著者 (8件)： FUKUMURA H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  TONARI N (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HASUIKE N (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HARIMA H (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  KISODA K (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  KOIDE T (Osaka Univ., Toyonaka, Osaka, JPN) ,  SEKI M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TABATA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 21  号： 6  ページ： 064221,1-5  発行年： 2009年02月11日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 膜厚が異なるHo₃Fe₅O₁₂薄膜をパルスレーザ蒸着法で成長した。引張歪がある試料の格子定数を膜厚の関数として調べた。室温では,バルク試料のRamanスペクトルには17個のフォノンモードが観測されるが,薄膜試料ではT_2gとE_gのモードに対応する2個のフォノンピークだけが見られた。フォノン周波数はバルク値からシフトし,膜中の格子歪を示唆する。また格子歪が膜厚により異なることもわかった。高温では約650°Cまで格子歪が存続する。

シソーラス用語： 材料 ,  磁気電気効果 ,  ホルミウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  酸化物 ,  *Ramanスペクトル ,  誘電体薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  格子定数 ,  膜厚 ,  フォノン ,  基準モード ,  *格子歪
準シソーラス用語： マルチフェロイック

分類 (2件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： マルチフェロイック ,  薄膜 ,  Raman散乱 ,  研究