Siアナログ回路応用のためのHfO<sub>2</sub>金属-絶縁体-金属キャパシタの物理的および電気的特性評価

HU H; ZHU C; LU Y F; WU Y H; LIEW T; LI M F; CHO B J; CHOI W K; YAKOVLEV N

文献

J-GLOBAL ID：200902243690859477 整理番号：03A0509461

Siアナログ回路応用のためのHfO₂金属-絶縁体-金属キャパシタの物理的および電気的特性評価

Physical and electrical characterization of HfO₂ metal-insulator-metal capacitors for Si analog circuit applications

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資料名：
巻： 94 号： 1 ページ： 551-557 発行年： 2003年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記誘電体薄膜を,パルスレーザー蒸着により種々の基板温度と圧...

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誘電体一般 , 光物性一般 , 酸化物薄膜

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Siアナログ回路応用のためのHfO2金属-絶縁体-金属キャパシタの物理的および電気的特性評価

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