天然酸化けい素をもつSi基板上に成長させたGaNナノロッド膜による電界電子放出

YAMASHITA T; HASEGAWA S; NISHIDA S; ISHIMARU M; HIROTSU Y; ASAHI H

文献

J-GLOBAL ID：200902243724001892 整理番号：05A0315942

天然酸化けい素をもつSi基板上に成長させたGaNナノロッド膜による電界電子放出

Electron field emission from GaN nanorod films grown on Si substrates with native silicon oxides

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資料名：
巻： 86 号： 8 ページ： 082109.1-082109.3 発行年： 2005年02月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

自然SiO₂薄層(2nm)を持つSi(...

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熱電子放出,電界放出 , 半導体の結晶成長

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