窒化Ge(100)基板上に原子層堆積により成長させたHfO<sub>2</sub>の界面特性

KIM H; MCINTYRE P C; CHUI C O; SARASWAT K C; CHO M-H

文献

J-GLOBAL ID：200902243786468177 整理番号：04A0788102

窒化Ge(100)基板上に原子層堆積により成長させたHfO₂の界面特性

Interfacial characteristics of HfO₂ grown on nitrided Ge(100) substrates by atomic-layer deposition

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巻： 85 号： 14 ページ： 2902-2904 発行年： 2004年10月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GeO<sub>x</sub>,及び清浄化表面をNH<sub...

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誘電体一般 , 酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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窒化Ge(100)基板上に原子層堆積により成長させたHfO2の界面特性

窒化Ge(100)基板上に原子層堆積により成長させたHfO₂の界面特性