超高性能用途のための金属ゲート電極を持つサブ30nm,マルチブリッジチャネルMOSFET(MBCFET)

文献

J-GLOBAL ID：200902243814753559 整理番号：05A0154223

Sub 30nm Multi-Bridge-Channel MOSFET (MBCFET) with Metal Gate Electrode for Ultra High Performance Application

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著者 (9件)：

YOON E-J

YOON E-J について

(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)