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J-GLOBAL ID：200902243994578768   整理番号：07A1230707

高速および高密度の不揮発性メモリに適用可能な二系列の酸化物レジスタ

Two Series Oxide Resistors Applicable to High Speed and High Density Nonvolatile Memory

著者 (15件)： LEE Myoung-Jae (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  PARK Youngsoo (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  SUH Dong-Seok (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  LEE Eun-Hong (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  SEO Sunae (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  KIM Dong-Chirl (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  JUNG Ranju (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  KANG Bo-Soo (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  AHN Seung-Eon (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  LEE Chang Bum (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  SEO David H (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  CHA Young-Kwan (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  YOO In-Kyeong (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  KIM Jin-Soo (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Bae Ho (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 19  号： 22  ページ： 3919-3923  発行年： 2007年11月19日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti/SiO₂/Si基板上にVO₂およびNiOを反応性スパッタリングにより担持し,白金電極アレイを形成してPt/VO₂/Ptスイッチ(A),Pt/NiO/Ptメモリ(B),Pt/VO₂/Pt/NiO/Pt複合素子(C)を作製した。Aスイッチ素子のしきい値特性,Bスイッチの二状態スイッチング特性を調べた。C素子についてプログラム動作を検討した。高速不揮発性メモリとして動作が数十ナノ秒と速く,素子作製温度が300°Cと低いことが利点である。二次元アレイのクロスバー素子を試作した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  酸化物 ,  *酸化バナジウム ,  *酸化ニッケル ,  反応性スパッタリング ,  白金電極 ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  白金 ,  チタン ,  *積層構造 ,  パターン形成 ,  *スイッチ ,  記憶装置 ,  *記憶素子 ,  閾値 ,  閾値素子 ,  スイッチング ,  アレイ回路
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  メモリ ,  *メモリ素子

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高密度 ,  不揮発性メモリ ,  系列 ,  酸化物 ,  レジスタ