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J-GLOBAL ID：200902244287925024   整理番号：08A0833491

極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響

Impact of Tantalum Composition in TaC_x/HfSiON Gate Stack on Device Performance of Aggressively Scaled CMOS Devices with SMT and Strained CESL

著者 (15件)： 後藤正和 (東芝セミコンダクター社) ,  辰村光介 (東芝 研開セ) ,  川中繁 (東芝セミコンダクター社) ,  中嶋一明 (東芝セミコンダクター社) ,  市原玲華 (東芝 研開セ) ,  吉水康人 (東芝セミコンダクター社) ,  小野田裕之 (東芝セミコンダクター社) ,  長友浩二 (東芝セミコンダクター社) ,  佐々木俊行 (東芝セミコンダクター社) ,  福島崇 (東芝セミコンダクター社) ,  野町映子 (東芝セミコンダクター社) ,  犬宮誠治 (東芝セミコンダクター社) ,  青山知憲 (東芝セミコンダクター社) ,  小山正人 (東芝 研開セ) ,  豊島義明 (東芝セミコンダクター社)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 140(ICD2008 38-58)  ページ： 109-114  発行年： 2008年07月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaC_x/HfSiONデバイスにおいて,TaC_x組成がもたらすデバイス特性への影響を詳細に調査した。その結果,TaC_x中のTa組成プロファイル最適化により実現される適度なメタルゲート(Metal Gate)/高誘電率ゲート絶縁膜(High-k)界面反応が,High-k中の固定電荷抑制に効果的であり,デバイス特性の向上をもたらすことを明らかとした。さらに,High-k中の固定電荷抑制が,歪み印加効果の促進をもたらすことも明らかとした。絶縁膜中の固定電荷を排除したTaC_x/HfSiONデバイスと,従来の歪み印加技術のStress Memorization Technique(SMT),Stress Liner(SL)とを組み合わせることで,高性能な極微細Metal Gate/High-kデバイスの作製に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： 絶縁膜 ,  *素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  微細加工 ,  *MOSFET ,  タンタル化合物 ,  歪
準シソーラス用語： HfSiON ,  *HfSiONデバイス ,  タンタル炭化物 ,  メタルゲート ,  高誘電率ゲート絶縁膜 ,  歪み印加

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： HfSiON ,  歪み ,  組成