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J-GLOBAL ID：200902244292460706   整理番号：05A0457037

Fourier変換赤外反射を用いたSiCエピタキシャル膜における縦方向光学フォノン-プラズモン連成モードの検討

Investigation of Longitudinal-Optical Phonon-Plasmon Coupled Modes in SiC Epitaxial Film Using Fourier Transform Infrared Reflection

著者 (5件)： SUNKARI Swapna (Mississippi State Univ., MS) ,  MAZZOLA M.S. (Mississippi State Univ., MS) ,  MAZZOLA J.P. (SemiSouth Lab., Inc, MS) ,  DAS Hrishikesh (Mississippi State Univ., MS) ,  WYATT J.L. (Mississippi State Univ., MS)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 34  号： 4  ページ： 320-323  発行年： 2005年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温Fourier変換赤外反射(FTIR)分光法を用いて,化...

シソーラス用語： 水素化 ,...
準シソーラス用語： 連成モード

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fourier変換 ,  赤外反射 ,  SiC ,  エピタキシャル膜 ,  縦方向 ,  光学フォノン ,  プラズモン