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J-GLOBAL ID：200902244680207222   整理番号：04A0571978

けい素上の金属-絶縁体転移における表面状態電気伝導率

Surface-State Electrical Conductivity at a Metal-Insulator Transition On Silicon

著者 (4件)： TANIKAWA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MATSUDA I (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KANAGAWA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 93  号： 1  ページ： 016801.1-016801.4  発行年： 2004年07月02日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属In原子鎖のアレイで構成する準一次元金属Si(111)-...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 四点法

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (3件)： けい素 ,  金属-絶縁体転移 ,  電気伝導率