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J-GLOBAL ID：200902245066608020   整理番号：09A0500811

酸化第一銅フィルムのイオンによる電子構造の変化

Electronic structure modifications of cuprous-oxide films by ions

著者 (5件)： MATSUNAMI N. (Energy Sci. Div., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  FUKUOKA O. (Energy Sci. Div., EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  TAZAWA M. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya 463-8560, JPN) ,  KAKIUCHIDA H. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya 463-8560, JPN) ,  SATAKA M. (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Tokai 319-1195, JPN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 203  号： 17-18  ページ： 2642-2645  発行年： 2009年06月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化第一銅(Cu₂O)は直接バンドギャップp型半導体(バンドギャップ~2eV)として知られ,太陽電池,熱電エネルギー変換,p-nジャンクションデバイス等に応用される可能性がある。イオン照射でこの電子構造がどのように変化するかを検討することは重要である。100keVのNeおよびNイオンの照射がCu₂Oの光学的および原子構造に及ぼす影響を研究した。RFマグネトロン・スパッター蒸着法でMgO上にCu₂Oフィルムを作製した。X線回折の結果,フィルムは(111)方位を持った多結晶で,イオン照射によって不規則化することが解った。ラザフォードのバックスキャター分光分析より,イオン照射前後の組成は化学量論組成であった。光学吸収は小さいが,吸収端近傍のスペクトルに振動が見られた。イオン照射はこの振動を減少させる効果を持つ。イオン照射によるバンドギャップおよび表面形態の変化も述べている。

シソーラス用語： *酸化第一銅 ,  *半導体薄膜 ,  *イオン照射 ,  *電子構造 ,  P型半導体 ,  バンドギャップ ,  *光学的性質 ,  *原子構造 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  蒸着膜 ,  多結晶 ,  Rutherford散乱分光法 ,  化学組成 ,  光吸収スペクトル ,  表面構造 ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： 不規則性

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化第一銅 ,  フィルム ,  イオン ,  電子構造