文献

J-GLOBAL ID：200902245178108942   整理番号：09A1035287

多結晶シリコン薄膜の金属誘起横方向結晶化の過程における指向性横方向成長による欠陥の抑制

Suppression of Defects during Metal-Induced Lateral Crystallization of Polycrystalline-Silicon Thin Films by Directed Lateral Growth

著者 (4件)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KAMBARA Junji (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KOBATA Mitsunori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TSUDA Hiroshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 1  ページ： 091203.1-091203.5  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 指向性横方向成長がガラス基板上における多結晶シリコン(ポリ-Si)薄膜の格子欠陥密度を抑制するのに有効であることを示す。触媒としてニッケル(Ni)を用いて,450~650°Cで試みた金属誘起横方向結晶化法(MILC),および触媒を用いないで600~900°Cで試みた固相結晶化法(SPC)に関する研究結果を報告する。薄膜内の欠陥密度を微小Raman分光法によって評価した。走査電子顕微鏡および透過型電子顕微鏡によって,結晶粒と欠陥に関する配置を観測した。MILCによって作製した多結晶Siの結晶粒内における欠陥密度は成長温度の低下に伴って減少するが,SPCによって作製した多結晶Siの結晶粒内における欠陥密度は成長温度の低下に伴って増加することが分かった。これらの結果は指向性横方向成長がMILCにおいて支配的になり,欠陥形成の抑制に繋がることを示唆している。また,成長方向は結晶の起点領域から非晶質領域に亘るNi密度の漸次的変化と関係していることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多結晶 ,  *ケイ素 ,  ポリシリコン ,  *半導体薄膜 ,  半導体 ,  *結晶化 ,  エピタクシー ,  格子欠陥 ,  欠陥密度 ,  触媒 ,  ニッケル ,  固相成長 ,  顕微Raman分光法 ,  Ramanスペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  基板温度
準シソーラス用語： *金属誘起横方向結晶化 ,  横方向成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (18件)：

• S. Yoshimoto, C.-H. Oh, and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.40(2001)4466.
• M. Tai, M. Hatano, S. Yamaguchi, S. K. Park, T. Noda, M. Hongo, T. Shibata, and M. Ohkura: Dig. Tech. Pap. Int. Workshop AM-LCD, Tokyo, 2002, p. 231.
• J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder: Appl. Phys. Lett.70(1997)3434.
• A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002) L311.
• C. Hayzelden and J. L. Batstone: J. Appl. Phys.73(1993)8279.

タイトルに関連する用語 (7件)： 多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  金属誘起横方向結晶化 ,  過程 ,  指向性 ,  横方向成長 ,  欠陥