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J-GLOBAL ID：200902245205473208   整理番号：03A0624311

分子ビームエピタクシーでGaAs(100)基板上に成長させたPbTe/CdTe単一量子井戸

PbTe/CdTe single quantum wells grown on GaAs (1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy

著者 (5件)： KOIKE K (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  HONDEN T (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAKABE I (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAN F P (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YANO M (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 257  号： 1/2  ページ： 212-217  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の量子井戸の光ルミネセンス(PL)性質について報告する。...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  PbTe ,  CdTe ,  単一量子井戸