研究者
J-GLOBAL ID：200901010481067239   更新日: 2023年08月12日

矢野 満明

ヤノ ミツアキ | Yano Mitsuaki
所属機関・部署：
大阪工業大学 工学部 電子情報通信工学科

大阪工業大学 工学部 電子情報通信工学科 について


職名： 教授
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件)： 半導体物理学 ,  電子デバイス工学 ,  電子材料工学 ,  Semiconductor Physics ,  Semiconductor Device Physics ,  Electronic Materials
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • ZnO/ZnMgO薄膜の分子線エピタキシーとデバイス応用に関する研究
  • PbTe/CdTeヘテロ接合半導体デバイスに関する研究
  • III-V族化合物半導体ヘテロ接合に関する研究
  • Study on MBE Growth and Device Applications of ZnO/ZnMgO Films
  • Study on PbTe/CdTe Heterojunction Semicondoctor Devices
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MISC (75件)：
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特許 (4件)：
  • 酸化亜鉛系トランジスタ
  • 半導体発光素子
  • 薄膜積層構造体の製造方法
  • 単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛短結晶膜の製造方法及び製造装置ならびに積層構造
書籍 (11件)：
  • ZnO系化合物の最新応用,山本哲也監修,pp. 181-195,「バイオセンサ」,小池,尾形,佐々,矢野
    シーエムシー出版 2011
  • ZnO系の最新技術と応用,八百隆文監修,pp. 103-130,「酸化亜鉛系トランジスタとその応用」,佐々,小池,前元,矢野,井上
    シーエムシー出版 2007
  • Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanosructures-Processing, Properties and Applications, Eds:C. Jagadish and S. Pearton, Chapter 11 (pp. 371-414) "ZnO/ZnMgO Heterojunction FETs" by M. Yano, K. Koike, S. Sasa, and M. Inoue
    Elsevier Ltd 2006 ISBN:9780080447223
  • Implant isolation of ZnO epitaxial layers
    MRS Symp. Proc. 2003
  • ZnO and ZnMgO growth by molecular beam epitaxy
    MRS Symp. Proc. 2003
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Works (2件)：
  • 高効率ディスプレー用透明トランジスタの開発
    2004 -
  • 電源・センサ一体型紫外線検出器の開発
    2002 -
学歴 (4件)：
  • - 1980 早稲田大学 理工学研究科 電気工学
  • - 1980 早稲田大学
  • - 1974 早稲田大学 理工学部 電気工学科
  • - 1974 早稲田大学
学位 (2件)：
  • 工学博士 (早稲田大学)
  • 工学修士 (早稲田大学)
経歴 (2件)：
  • 1980 - 1987 帝人株式会社中央研究所 研究員
  • 1980 - 1987 Central Research Laboratories of Teijin Limited, Researcher
委員歴 (2件)：
  • 2002 - 現在 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会委員
  • 2000 - 2003 応用物理学会 代議員
受賞 (1件)：
  • 2011/05 - 電気学会 進歩賞 香りセンサと香り計測装置および電子調香師の開発
所属学会 (5件)：
電気学会 ,  日本材料学会 ,  American Vacuum Society ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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