分子線エピタキシャル法によってGaNの下地上に成長させた微細構造を持つN-極性のInN/InGaN多重量子井戸

CHE Song-Bek; TERASHIMA Wataru; ISHITANI Yoshihiro; YOSHIKAWA Akihiko; MATSUDA Takeyoshi; ISHII Hirotatsu; YOSHIDA Seikoh

文献

J-GLOBAL ID：200902245277074634 整理番号：05A0679766

分子線エピタキシャル法によってGaNの下地上に成長させた微細構造を持つN-極性のInN/InGaN多重量子井戸

Fine-structure N-polarity InN/InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy

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資料名：
巻： 86 号： 26 ページ： 261903.1-261903.3 発行年： 2005年06月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InNはバンドギャップが小さく,その小さなバンドギャップを活...

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半導体薄膜

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