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J-GLOBAL ID：200902245513004715   整理番号：04A0269709

走査型電子顕微鏡を用いたナノスケールでのアンドープGaAs領域内におけるポテンシャルマッピング

Mapping the potential within a nanoscale undoped GaAs region using a scanning electron microscope

著者 (3件)： KAESTNER B (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SCHOENJAHN C (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  HUMPHREYS C J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 12  ページ： 2109-2111  発行年： 2004年03月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型電子顕微鏡(SEM)における2次イオン(SE)イメージ...

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査型電子顕微鏡 ,  ナノスケール ,  GaAs ,  ポテンシャル ,  マッピング