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J-GLOBAL ID：200902245611419109   整理番号：03A0506096

反応性XeF₂環境に曝露した多結晶AlN表面のX線光電子分光研究

X-ray photoelectron spectroscopy of polycrystalline AlN surface exposed to the reactive environment of XeF₂

著者 (7件)： WATANABE M (NGK Insulators Ltd., Nagoya, JPN) ,  MORI Y (NGK Insulators Ltd., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA T (NGK Insulators Ltd., Nagoya, JPN) ,  IIDA T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AKIYAMA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAWABE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHOBATAKE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 217  号： 1/4  ページ： 82-87  発行年： 2003年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 試料温度T_S=300~920Kで1.8...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性 ,  XeF2 ,  環境 ,  曝露 ,  多結晶 ,  AlN ,  X線光電子分光 ,  研究