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J-GLOBAL ID：200902245695243213   整理番号：09A0125673

Ge凝縮法による高純度Ge-オン-絶縁体層の形成過程

Formation process of high-purity Ge-on-insulator layers by Ge-condensation technique

著者 (7件)： NAKAHARAI S. (MIRAI-ASET, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, JPN) ,  TEZUKA T. (MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN) ,  HIRASHITA N. (MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN) ,  TOYODA E. (Covalent Materials, 6-864-5 Higashikou, Seirou-machi, Kitakanabra-gun, Niigata 957-0197, JPN) ,  MORIYAMA Y. (MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN) ,  SUGIYAMA N. (MIRAI-ASET, 1 Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, JPN) ,  TAKAGI S. (MIRAI-AIST, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8569, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 2  ページ： 024515  発行年： 2009年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge凝縮によるGe純度の極めて高いGe-オン-絶縁体(GOI)層の形成過程を,SiGe層中のSiとGeの拡散挙動を通して明かにした。その拡散挙動はGeの凝縮過程に影響し,GOI層の純度はSiの酸化と拡散との関係により定まることが分かった。実験結果は,SiGe中のSiの選択酸化は,残留Si比率が0.01%以下のGOI層が形成されるまで持続するとするGOI形成モデルを裏付けた。Geを酸化することなく,残留Si比率の極めて低いGOI層が得られる理由を,このモデルを基に,Ge凝縮時のSiの拡散挙動を計算することにより定量的に明かにした。その結果,Siの熱拡散が充分に速ければ,GOI形成過程時のSiの選択酸化は,SGOI層中の平均残留Si比率が0.03%以下になるまで持続しうることが分かった。このことは実験結果と基本的に一致する。さらに,GOI層を厚くさえすれば,SGOI中のSi拡散をSGOIの酸化速度より速めることにより,原理的にはGOI層のGe純度を限りなく100%に近づけうることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  ケイ素 ,  固溶体 ,  熱酸化 ,  熱拡散 ,  *半導体プロセス ,  純度 ,  凝縮 ,  固体内拡散 ,  解析モデル
準シソーラス用語： *GOI構造 ,  選択酸化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  凝縮 ,  高純度 ,  絶縁体層 ,  形成過程