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J-GLOBAL ID:200902245706577364   整理番号:09A0356251

期待されるフェムト秒レーザー研究 フェムト秒レーザーパルスによるシリコンの超高速相転移

著者 (2件):
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号: 328  ページ: 213-217  発行年: 2009年04月10日 
JST資料番号: Y0019A  ISSN: 0286-9659  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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フェムト秒レーザー照射によるc-Siのアモルファス化の発生メカニズムについて述べた。アブレーション閾値以下のフルーエンスにおいて,フェムト秒レーザーを物質に照射すると相移転が発生することが報告されている。しかし,このような現象に対して,その発生メカニズムに対する研究はその反応の高速性から十分に行われているとは言い難い。このような超高速現象の観察には,フェムト秒パルスをシャッタに用いたPump Probe測定を行う必要がある。そこで,この測定を行うImaging Pump Probe測定装置について述べた後,1)液体シリコン薄膜の反射率評価法,2)フェムト秒レーザーによる単結晶シリコンのアモルファス化,3)アモルファス化におけるシリコンの最高速相移転の観察,について述べた。そして,フェムト秒レーザー照射によるc-Siのアモルファス化において形成されたa-SIの厚みはレーザ波長が短くなるほど薄くなるなどについて述べた。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
レーザ一般  ,  相転移・臨界現象一般 

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