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J-GLOBAL ID：200902245738362980   整理番号：08A0420350

SiO₂-ZrO₂系におけるRFスパッタX線非晶質膜の作製と性質

Preparation and properties of radiofrequency sputtered X-ray amorphous films in the system SiO₂-ZrO₂

著者 (3件)： SAWA Akira (Graduate School of Sci., Kyoto Univ., Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, JPN) ,  NAKANISHI Kazuki (Graduate School of Sci., Kyoto Univ., Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, JPN) ,  HANADA Teiichi (Graduate School of Sci., Kyoto Univ., Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 516  号： 15  ページ： 4665-4672  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂-ZrO₂系の非晶質膜をRFスパッタリングにより作製し,密度,屈折率,弾性係数,熱膨張係数を測定した。全ての物理的性質は似通った組成依存性を示し,ZrO₂含有量が増すと増大したが,比例的ではなかった。非晶質膜のカチオンの配位状態を体積及びモル屈折率の組成依存性により推定した。珪素イオンの配位状態は変化しなかったが,ジルコニウムイオンの配位数はZrO₂量に依存して8から6に変化した。これらの結果はSiO₂-ZrO₂系の非晶質膜中のジルコニウムイオンの配位状態が性質に大きく影響することを示した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  非晶質 ,  屈折率 ,  弾性係数 ,  熱膨張係数 ,  カチオン ,  配位数 ,  ジルコニウム ,  酸化ジルコニウム ,  依存性 ,  二酸化ケイ素 ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  *物理的性質 ,  組成依存性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFスパッタ ,  X線 ,  非晶質膜 ,  作製 ,  性質