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J-GLOBAL ID：200902246159628176   整理番号：03A0283282

金属-窒化物拡散障壁上での銅の置換めっきで始める無電解めっき

Electroless Plating of Copper on Metal-Nitride Diffusion Barriers Initiated by Displacement Plating.

著者 (5件)： WANG Z (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IDA T (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SAKAUE H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SHINGUBARA S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TAKAHAGI T (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 6  号： 3  ページ： C38-C41  発行年： 2003年03月 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅をTaNおよびWNの障壁層上に,基板を1)表面酸化物を取り...

シソーラス用語： *銅めっき ,...
準シソーラス用語： 置換めっき ,...

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分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  電極過程  (CB07040U)

物質索引 (1件)： グリオキシル酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物 ,  拡散障壁 ,  銅 ,  置換めっき ,  無電解めっき