文献
J-GLOBAL ID：200902246424370534
整理番号：05A0703612
高信頼性の250W-GaN高電子移動度トランジスタ電力増幅器
Highly Reliable 250 W GaN High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0703612©=1") }}
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著者 (1件)：
資料名：
巻：
44
号：
7A
ページ：
4896-4901
発行年：
2005年07月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
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分類 (1件)：
分類
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増幅回路
引用文献 (27件)：
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1) L. F. Eastman: Int. Microwave Symp. Tech. Dig., 2002, p. 2273.
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2) J. W. Palmour, S. T. Sheppard, R. P. Smith, S. T. Allen, W. L. Pribble, T. J. Smith, Z. Ring, J. J. Sumakeris, A. W. Saxler and J. W. Miligan: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 385.
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3) T. Kikkawa, N. Nagahara, N. Okamoto Y. Tateno, Y. Yamgaguchi, N. Hara, K. Joshin and P. M. Asbeck: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 585.
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4) Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue and M. Kuzuhara: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 289.
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5) Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra and P. Parikh: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 117.
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