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J-GLOBAL ID：200902246466658546   整理番号：05A0807316

MOVPEによる高品質CdTeエピ層のSi(211)基板上への直接成長

Direct growth of high-quality CdTe epilayers on Si(211) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy

著者 (7件)： NIRAULA M. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  YASUDA K. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  OHNISHI H. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  EGUCHI K. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  TAKAHASHI H. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  NODA K. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  AGATA Y. (Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 284  号： 1-2  ページ： 15-19  発行年： 2005年10月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーで,Si(211)基板上に高品質エピ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  高品質 ,  CdTe ,  エピ層 ,  Si ,  成長