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J-GLOBAL ID：200902246485649981   整理番号：04A0418877

絶縁体上の歪Si,SiGeおよびGe ウエハ・ボンディング製作技術の概説

Strained Si, SiGe, and Ge on-insulator: review of wafer bonding fabrication techniques

著者 (3件)： TARASCHI G (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  PITERA A J (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  FITZGERALD E A (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 48  号： 8  ページ： 1297-1305  発行年： 2004年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上の緩和SiGe(SGOI),絶縁体上の歪Si(SSO...

シソーラス用語： SOI構造 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 絶縁体 ,  歪 ,  Si ,  SiGe ,  Ge ,  ウエハ ,  ボンディング ,  製作