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J-GLOBAL ID：200902246534728493   整理番号：03A0486768

レーザ光子,パルス幅,基板の依存性として調べたPLDによるα-SiCヘテロエピタキシャル膜の成長機構

Growth mechanism of α-SiC hetero-epitaxial films by PLD as studied on the laser photon, pulse-width and substrates dependence.

著者 (3件)： MUTO H (AIST, Nagoya, JPN) ,  KAMIYA S (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  KUSUMORI T (AIST, Nagoya, JPN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 23  号： 1/2  ページ： 43-47  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 転移温度(Tc~1600°C)より低い温度でのパルスレーザアブ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： レーザフルエンス

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： レーザ ,  光子 ,  パルス幅 ,  PLD ,  SiC ,  テロ ,  エピタキシャル膜 ,  成長