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J-GLOBAL ID：200902246909178046   整理番号：04A0698237

ECRドライエッチングとMBE選択成長法による加工基板上へのAlGaN/GaNナノ構造の作製と評価

著者 (4件)： 及川武 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 1  ページ： 291  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： RIBE【エッチング】

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドライエッチング ,  MBE ,  選択成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ナノ構造 ,  作製 ,  評価