チャンネルとして位置制御成長カーボンナノチューブを用いた5000Kの超高Coulombエネルギーをもつ単電子トランジスタ

MATSUMOTO K; KINOSHITA S; KURACHI K; KAMIMURA T; MAEDA M; SAKAMOTO K; KUWAHARA M; ATODA N; AWANO Y

文献

J-GLOBAL ID：200902247432297427 整理番号：03A0393134

チャンネルとして位置制御成長カーボンナノチューブを用いた5000Kの超高Coulombエネルギーをもつ単電子トランジスタ

Single-Electron Transistor with Ultra-High Coulomb Energy of 5000K Using Position Controlled Grown Carbon Nanotube as Channel

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 42 号： 4B ページ： 2415-2418 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

パターン化化学触媒を使用することにより,カーボンナノチューブ...

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トランジスタ

引用文献 (10件)：

1) K. Matsumoto, M. Ishi, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 34.
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3) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase and K. Murase: IEEE Electron Device Lett. 43 (1997) 1213.
4) S. J. Tans, M. H. Devoret, H. Dai, A. Thess, R. E. Smalley, L. J. Geerligs and C. Dekker: Nature 386 (1997) 474.
5) S. J. Tans, A. R. M. Verschueren and C. Dekker: Nature 393 (1998) 49.

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