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J-GLOBAL ID：200902159741570522   整理番号：02A0501689

原子間力顕微鏡ナノ酸化プロセスで作製した単一電子トランジスタの室温のCoulombダイヤモンド特性

Room Temperature Coulomb Diamond Characteristic of Single Electron Transistor Made by AFM Nano-Oxidation Process.

著者 (3件)： GOTOH Y (Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO K (Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 4B  ページ： 2578-2582  発行年： 2002年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡ナノ酸化プロセスを使って作製した単一電子トラン...

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,...

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分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• 1) K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1993) p. 541.
• 2) K. Nakazato, T. J. Thornton, J. White and H. Ahmed: Electronics Lett. 29 (1993) 384.
• 3) Yu. A. Pashkin, Y. Nakamura and J. S. Tai: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2256.
• 4) J. Kong, C. Zhou, E. Yenilmez and H. Dai: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3977.
• 5) K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 34.

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子間力顕微鏡 ,  酸化プロセス ,  作製 ,  単一電子トランジスタ ,  室温 ,  Coulombダイヤモンド